วันพฤหัสบดีที่ 10 มิถุนายน 2010 เวลา 14:27 น.
พิมพ์




ผู้ช่ายศาสตราจารย์ ดร.ณฐภัทร   พันธ์คง
Nathabhat Phankong, Ph.D.

คุณวุฒิการศึกษา:
  วศ.บ. (วิศวกรรมไฟฟ้า) เกียรตินิยม มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี
  วศ.ม. (วิศวกรรมไฟฟ้า) มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี
  Ph.D. (Electrical Engineering), Kyoto University, Japan
                     
ติดต่อ:
  ห้องพักอาจารย์ชั้น 2  
  ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า
  คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีราชมงคลธัญบุรี
  39 หมู่ 1 ตำบลคลองหก อำเภอธัญบุรี ปทุมธานี 12110
  โทรศัพท์: 02-549 3420
  โทรสาร: 02-549-3422
  E-mail:
อีเมลนี้จะถูกป้องกันจากสแปมบอท แต่คุณต้องเปิดการใช้งานจาวาสคริปก่อน

Download CV

วิชาที่สอน:
 
       

Electric Circuit I

Fundamental of Electrical Engineering [เอกสารประกอบการสอน]

                                                                  
งานวิจัยที่สนใจ:

1.Applications of SiC power devices

2.Characterization of SiC power devices

3.Power conversion and system control

4. High frequency switching converter



บทความทางวิชาการ/วิจัย:

Journal articles

1.N. Phankong, T. Funaki, and T. Hikihara, “Switching characteristics of lateral-type and vertical-type SiC JFETs depending on their internal parasitic capacitances,” IEICE Electron. Express, vol. 7, no. 14, pp. 1051-1057, Jul. 2010.

 

2.N. Phankong, T. Funaki, and T. Hikihara, “Characterization of the gate-voltage dependency of input capacitance in a SiC MOSFET,” IEICE Electron. Express, vol. 7, no. 7, pp. 480-486, Apr. 2010.

 

3.T. Funaki, N. Phankong, T. Kimoto, and T. Hikihara, “Measuring terminal capacitance and its voltage dependency for high-voltage power devices,” IEEE Trans. on Power Electron., vol. 24, no. 6, pp. 1486-1493, Jun. 2009.

 

Conference proceeding and technical reports

1.N. Phankong, T. Yanagi, and T. Hikihara, “An analysis of switching behavior by equivalent circuit of power MOSFET,” The 2010 Annual Meeting Record IEE Japan, Meiji University, Japan, March 17-19, 2010.

 

2.N. Phankong, T. Funaki, and T. Hikihara, “A static and dynamic model for a silicon carbide power MOSFET,” The 13th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE2009), Barcelona, Spain, September 8-10, 2009.

 

3.T. Funaki, N. Phankong, and T. Hikihara, “Measurement of terminal capacitance of high voltage MOS power transistors,” The Papers of Joint Technical Meeting on Electron Devices and Semiconductor Power Converter, IEE Japan, EFM-09-38/EDD-09-72/SPC-09-139, Tokyo Institute of Technology, Japan, October 29, 2009.

 

4.N. Phankong, T. Funaki, and T. Hikihara, “A study on C-V characterization of lateral-type silicon carbide JFET,” The 2009 Annual Meeting Record IEE Japan, Hokkaido University, Japan, March 17-19, 2009.

 

5.N. Phankong, T. Funaki, and T. Hikihara, “Experimental study on dynamic behavior of power MOSFET based on capacitance-voltage characteristics,” The Papers of Joint Technical Meeting on Electron Devices and Semiconductor Power Converter, IEE Japan, EDD-08-65/SPC-08-152, Kyushu Institute of Technology Tobata Campus, Japan, October 23-24, 2008.

 

6.N. Phankong, T. Funaki, and T. Hikihara, “Modeling of power MOSFET based on capacitance-voltage characteristics,” The 22nd Annual Conference of the Industry Applications Society of the Institute of Electrical Engineers of Japan (JIASC2008), Kochi City Culture-Plaza (CUL-PORT), Japan, August 27-29, 2008.

 

7.N. Phankong, T. Funaki, and T. Hikihara, “Evaluation of base region parameters in IGBT based on capacitance-voltage characteristics,” Proceeding of the 2008 IEICE General Conference, Kitakyushu Science and Research Park, Japan, March 18-21, 2008.

 

8. N. Phankong, T. Funaki, and T. Hikihara, “A Discussion on the High Level Carrier Lifetime Effect of IGBT Model,” The Papers of Joint Technical Meeting on Electron Devices and Semiconductor Power Converter, IEE Japan, EDD-07-73/SPC-07-99, Mie University, Japan, October 25-26, 2007.














 

แก้ไขล่าสุด ใน วันศุกร์ที่ 08 กรกฏาคม 2016 เวลา 19:24 น.